Molecular Beam Epitaxy-ը (MBE) շատ ճշգրիտ տեխնիկա է, որն օգտագործվում է բարակ թաղանթների և նանոկառուցվածքների արտադրության համար տարբեր կիրառությունների համար, ներառյալ կիսահաղորդչային սարքերը, օպտոէլեկտրոնիկա և քվանտային հաշվարկներ: MBE համակարգերի հիմնական մարտահրավերներից մեկը չափազանց ցածր ջերմաստիճանի պահպանումն է, ինչն էլ հենց այստեղ էվակուումային բաճկոնով խողովակs (VJP) մտնում են խաղի մեջ: Այս առաջադեմ խողովակները անհրաժեշտ են MBE խցիկներում ջերմային հսկողություն ապահովելու համար՝ դրանք դարձնելով անփոխարինելի բաղադրիչ ատոմային մակարդակում նյութերի բարձրորակ աճի հասնելու համար:

Ի՞նչ է մոլեկուլային ճառագայթային էպիտաքսիան (MBE):

MBE-ն նստեցման տեխնիկա է, որը ներառում է ատոմային կամ մոլեկուլային ճառագայթների վերահսկվող նստեցում բարձր վակուումային միջավայրում գտնվող ենթաշերտի վրա: Գործընթացը պահանջում է ջերմաստիճանի ճշգրիտ հսկողություն՝ նյութի ցանկալի հատկություններին հասնելու համար, ինչը ջերմային կառավարումը դարձնում է կարևոր գործոն: MBE համակարգերում,վակուումային բաճկոնով խողովակներօգտագործվում են կրիոգեն հեղուկներ և գազեր տեղափոխելու համար՝ ապահովելով, որ ենթաշերտը նստեցման գործընթացում մնա ճիշտ ջերմաստիճանում: